了解了開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部及外部電磁干擾源后，我們還應(yīng)知道，形成電磁干擾機(jī)理的三要素是還有傳播途徑和受擾設(shè)備。因此高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容設(shè)計(jì)，高頻電源廠家可以從以下三個(gè)方面入手：1、減小干擾源的電磁干擾能量；2、切斷干擾傳播途徑；3、提高受擾設(shè)備的抗干擾能力。

    正確了解和把握開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾源及其產(chǎn)生機(jī)理和干擾傳播途徑，對(duì)于采取何種抗干擾措施以使設(shè)備滿足電磁兼容要求非常重要。由于干擾源有開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部產(chǎn)生的干擾源和外部的干擾源，而且可以說(shuō)干擾源無(wú)法消除，受擾設(shè)備也總是存在，因此可以說(shuō)電磁兼容問(wèn)題總是存在。
    高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容EMC問(wèn)題有其特殊性。功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的di/dt和dv /dt，引起強(qiáng)大的傳導(dǎo)電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會(huì)引起強(qiáng)電磁場(chǎng)（通常是近場(chǎng)）輻射。不但嚴(yán)重污染周圍電磁環(huán)境，對(duì)附近的電氣設(shè)備造成電磁干擾，還可能危及附近操作人員的安全。同時(shí)，電力電子電路（如開(kāi)關(guān)變換器）內(nèi)部的控制電路也必須能承受開(kāi)關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的EMI及應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)電磁噪聲的干擾。上述特殊性，再加上EMI測(cè)量上的具體困難，在電力電子的電磁兼容領(lǐng)域里，存在著許多科學(xué)的前沿課題有待人們研究。國(guó)內(nèi)外許多大學(xué)均開(kāi)展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問(wèn)題的研究，并取得了不少可喜成果。近幾年研究成果表明，開(kāi)關(guān)變換器中的電磁噪音源，主要來(lái)自主開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)作用所產(chǎn)生的電壓、電流變化。變化速度越快，電磁噪音越大。
    高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容要想低的寄生效應(yīng)，表面貼電阻是更好的選擇。有鉛封裝類型的電阻，選擇順序由高到低的次序是 炭膜電阻>金屬氧化膜電阻>線繞電阻。在放大電路設(shè)計(jì)中，電阻的選擇極為重要。在高頻范圍內(nèi)，由于在電阻上的感應(yīng)影響，阻抗會(huì)增大。因此，增益調(diào)整的電阻應(yīng)盡可能地放置在靠近放大電路的地方，來(lái)降低板子的感應(yīng)系數(shù)。
    高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容選擇合適的電容不是一件容易的事情，因?yàn)殡娙萦胁煌念愋图靶袨榉磻?yīng)。電容是解決許多 EMC問(wèn)題的重要器件，旁路電容和去耦電容應(yīng)當(dāng)在電源入口的地方盡力靠近放在一起，來(lái)濾掉高頻噪聲，去耦電容的取值大約是旁路電容的1/100到1/1000，去耦電容應(yīng)當(dāng)盡可能的靠近IC，因?yàn)閷?dǎo)線電阻會(huì)降低去耦電容的作用。

 

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